Chuẩn giao tiếp Sata III 6Gbit/s
Kích thước 2.5 Inch, 6.8mm
Dung lượng 120GB
Đọc tuần tự 540 MB/s
Ghi tuần tự 520 MB/s

Công nghệ 3D Vertical NAND (V-NAND)  
Nâng cấp hầu như mọi khía cạnh hiệu suất cho máy tính của bạn với Samsung mới 850 EVO. Kiến trúc bộ nhớ Flash 3D V-NAND độc đáo và sáng tạo của samsung khắc phục những hạn chế về mật độ, hiệu suất và độ bền của kiến trúc NAND phẳng thông thường hiện nay. 3D V-NAND được chế tạo bằng cách sắp xếp 32 lớp tế bào theo chiều dọc lên nhau chứ không giảm kích thước tế bào, cho phép có mật độ tế bào cao hơn, hiệu suất tốt hơn.

Công nghệ 3D Vertical NAND (V-NAND)  
Nâng cấp hầu như mọi khía cạnh hiệu suất cho máy tính của bạn với Samsung mới 850 EVO. Kiến trúc bộ nhớ Flash 3D V-NAND độc đáo và sáng tạo của samsung khắc phục những hạn chế về mật độ, hiệu suất và độ bền của kiến trúc NAND phẳng thông thường hiện nay. 3D V-NAND được chế tạo bằng cách sắp xếp 32 lớp tế bào theo chiều dọc lên nhau chứ không giảm kích thước tế bào, cho phép có mật độ tế bào cao hơn, hiệu suất tốt hơn.